脉冲测试仪的测量的作用

　　通过脉冲测验，工程技术人员可以获得更多的器件信息，更准确地分析和把握器件的行为特征。例如，运用脉冲测验技术可以对纳米器件进行瞬态测验，确认其搬运函数，然后分析待测资料的特征。

　　脉冲测验仪的测量关于具有恒温限制的器件也是必需的，例如SOI器件、FinFET和纳米器件，可以避免自热效应，避免自热效应掩盖研讨人员所关心的照应特征。器件工程师还可以运用脉冲测验技术分析电荷捕获效应。在晶体管打开后电荷捕获效应会下降漏极电流。随着电荷逐渐被捕获到栅介质中，晶体管的阈值电压因为栅电容内建电压的升高而增大；然后漏极电流就下降了。

　　脉冲测验仪为人们和研讨纳米资料、纳米电子和现在的半导体器件供给了一种重要手法。脉冲测验有两种不同的类型：加电压脉冲和加电流脉冲。

　　电压脉冲测验产生的脉冲宽度比电流脉冲测验窄得多。这一特性使得电压脉冲测验更适合于热传输试验，其间我们所关心的时刻窗口只需几百纳秒。通过高精度的幅值和可编程的上升与下降时刻可以控制纳米器件上的能耗巨细。电压脉冲测验可用于可靠性测验中的瞬态分析、电荷捕获和沟通应力测验，也可用于产生时钟信号，模仿重复控制线，例如存储器读写周期。

　　电流脉冲测验与电压脉冲测验十分类似。其间，将指定的电流脉冲加载到DUT上，然后测量器件两头产生的电压。电流脉冲测验常用于测量较低的电阻，或许获取器件的I-V特征曲线，而不会使DUT产生很多的能耗，避免对纳米器件的危害或损坏。